ĐIỆN CỰC GRAPHITE ÉP ĐẲNG TĨNH VÀ MÂM HẠT GRAPHITE CHUYÊN DỤNG CHO SẢN XUẤT POLYSILICON

ĐIỆN CỰC GRAPHITE ÉP ĐẲNG TĨNH VÀ MÂM HẠT GRAPHITE CHUYÊN DỤNG CHO SẢN XUẤT POLYSILICON

Thương hiệu: 
Giá bán:  Liên hệ
ĐIỆN CỰC GRAPHITE ÉP ĐẲNG TĨNH VÀ MÂM HẠT GRAPHITE CHUYÊN DỤNG CHO SẢN XUẤT POLYSILICON GRAPHITE SEED-CHUCK VÀ GRAPHITE ELECTRODES TINH KHIẾT CAO CHO LÒ CVD SẢN XUẤT SILICON ĐA TINH THỂ LINH KIỆN GRAPHITE CẤP ĐỘ NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI (SOLAR GRADE) CHỊU NHIỆT CỰC CAO, CHỐNG Ô NHIỄM GRAPHITE SEED-HOLDER CHÍNH XÁC CNC: ỔN ĐỊNH CẤU TRÚC CHO QUÁ TRÌNH KẾT TINH POLYSILICON GIẢI PHÁP GRAPHITE ISOTATIC ĐỘ BỀN CƠ HỌC CAO CHO CÁC ỨNG DỤNG ĐIỆN HÓA VÀ KẾT TINH SILICON

ĐIỆN CỰC GRAPHITE VÀ MÂM HẠT GRAPHITE CHO SẢN XUẤT POLYSILICON: GIẢI PHÁP VẬT LIỆU VƯỢT TRỘI

Là một nhà cung cấp hàng đầu tại Việt Nam, chúng tôi tự hào cung cấp Điện cực Graphite Ép Đẳng Tĩnh (Isostatic Graphite Electrodes) và Mâm Hạt Graphite (Graphite Seed-Chuck) Chất Lượng Đỉnh Cao (Top Quality). Các linh kiện này đóng vai trò tối quan trọng trong quy trình lắng đọng hóa học từ pha hơi (CVD) để sản xuất Polysilicon (Silicon Đa Tinh Thể), vật liệu nền cho ngành công nghiệp bán dẫn và năng lượng mặt trời.

Chúng tôi cam kết sử dụng vật liệu Graphite Ép Đẳng Tĩnh (Isostatic Graphite) được tinh khiết hóa để đạt Độ Tinh Khiết Cực Cao (Ultra-High Purity), đáp ứng tiêu chuẩn Solar Grade hoặc Semiconductor Grade. Sản phẩm được gia công chính xác bằng công nghệ CNC hiện đại, đảm bảo:

  • Độ Tinh Khiết Cực Cao: Hàm lượng Tro (Ash Content) cực thấp (thường < 1 ppm), ngăn ngừa ô nhiễm Polysilicon, yếu tố quyết định hiệu suất tế bào quang điện.

  • Chịu Nhiệt Độ Cực Cao: Hoạt động ổn định ở nhiệt độ phản ứng CVD khắc nghiệt (thường $>1000^\circ\text{C}$), không biến dạng hay giải phóng tạp chất.

  • Độ Bền Cơ Học: Graphite Ép Đẳng Tĩnh có cấu trúc hạt mịn, đồng nhất, giúp Mâm Hạt (Seed-Chuck) chịu được ứng suất nhiệt và cơ học trong quá trình kết tinh.

  • Dẫn Điện Tối Ưu: Điện cực Graphite đảm bảo cung cấp dòng điện ổn định, đồng nhất để duy trì nhiệt độ phản ứng chính xác.

Thông số kỹ thuật và ứng dụng

  • Thương hiệu: OEM/Tùy chỉnh.

  • Loại sản phẩm: Điện cực Graphite / Mâm Hạt Graphite (Seed-Chuck) - Gia công CNC chính xác.

  • Mã sản phẩm: Không có mã cụ thể (Tùy chỉnh theo thiết kế lò CVD và kích thước hạt silicon).

  • Vật liệu: Carbon Graphite Ép Đẳng Tĩnh (Isostatically Pressed Graphite) Độ Tinh Khiết Cực Cao (Solar/Semiconductor Grade).

  • Đặc điểm: Độ Tinh Khiết Cực Cao (Ash Content Ultra-Low), Chịu Nhiệt Cực Cao, Độ Bền Cơ Học Cao, Dẫn Điện Tối Ưu, Độ Chính xác CNC cao (Đảm bảo độ phẳng và độ song song của mâm hạt).

  • Ứng dụng: Lý tưởng cho Điện cực Chính, Giá đỡ Phôi (Seed-Chuck/Holder), và các linh kiện Vùng Nhiệt khác trong lò phản ứng CVD để sản xuất Polysilicon (Siemens Process hoặc FBR).

Đánh giá sản phẩm

Điện cực và Mâm Hạt Graphite của chúng tôi là giải pháp cốt lõi cho việc sản xuất Polysilicon chất lượng cao. Khách hàng trong ngành công nghiệp năng lượng mặt trời khẳng định sản phẩm giúp đảm bảo độ tinh khiết của Silicon, từ đó tăng hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trời. Độ bền cơ học của Graphite Ép Đẳng Tĩnh giúp kéo dài chu kỳ hoạt động của lò CVD, giảm thiểu chi phí bảo trì và thay thế.

Cách kiểm tra sản phẩm

Để đảm bảo mua sản phẩm chất lượng, hãy thực hiện các bước kiểm tra sau:

  1. Kiểm tra chứng chỉ vật liệu (COA): Yêu cầu xác nhận Độ Tinh Khiết (Purity) phải đạt tiêu chuẩn Solar/Semiconductor Grade và Mật độ Khối (Bulk Density).

  2. Đo độ chính xác kích thước: Đối với Mâm Hạt, kiểm tra độ phẳng (flatness) và độ song song (parallelism) bằng thiết bị đo tọa độ (CMM) để đảm bảo chất lượng kết tinh.

  3. Kiểm tra Điện trở: Thực hiện đo điện trở suất để xác nhận tính năng dẫn điện đồng nhất của Điện cực.