Trong quy trình sản xuất chất bán dẫn hiện đại, yêu cầu về độ tinh khiết và khả năng chịu nhiệt là cực kỳ khắt khe. Than chì tổng hợp độ tinh khiết cao (Ultra-high purity graphite) được coi là vật liệu "vàng" trong chuỗi cung ứng này. Với khả năng chịu được nhiệt độ trên 2500 độ C và tính trơ hóa học tuyệt đối, than chì tham gia vào hầu hết các công đoạn quan trọng từ kéo tinh thể Silicon đến xử lý bề mặt chip.

1. Quy trình kéo đơn tinh thể Silicon (Czochralski Process) Đây là công đoạn đầu tiên và quan trọng nhất để tạo ra các tấm Wafer. Than chì được sử dụng để chế tạo lò sưởi, nồi nấu (crucibles) và các linh kiện cách nhiệt trong lò kéo đơn tinh thể. Do Silicon nóng chảy rất dễ bị nhiễm bẩn, than chì phải đạt độ tinh khiết "5N" hoặc "6N" (99.999% trở lên) để đảm bảo cấu trúc tinh thể Silicon hoàn hảo.
2. Công nghệ màng mỏng và Epitaxy (MOCVD/PECVD) Trong quy trình bồi đắp các lớp vật liệu bán dẫn lên tấm Wafer, các đế đỡ (susceptors) làm từ than chì phủ Silicon Carbide (SiC) được sử dụng để giữ Wafer. Than chì cung cấp sự đồng nhất về nhiệt độ trên toàn bộ bề mặt tấm Wafer, yếu tố quyết định đến hiệu suất của các bóng bán dẫn trên chip.
3. Công đoạn cấy ghép Ion (Ion Implantation) Than chì được sử dụng để chế tạo các bộ phận trong buồng cấy ghép ion như buồng hồ quang, cực dương và các tấm chắn tia. Khả năng chịu nhiệt và chống mài mòn dưới tác động của luồng ion năng lượng cao giúp than chì duy trì tuổi thọ thiết bị và giảm thiểu sự nhiễm chéo kim loại.
4. Quản lý nhiệt và tản nhiệt công suất cao Trong các thiết bị kiểm tra chip và đóng gói bán dẫn, các tấm tản nhiệt graphite giúp giải tỏa nhiệt lượng cực lớn phát sinh trong quá trình vận hành, bảo vệ các vi mạch nhạy cảm khỏi hư hỏng do quá nhiệt.
Trong quy trình sản xuất chất bán dẫn hiện đại, yêu cầu về độ tinh khiết và khả năng chịu nhiệt là cực kỳ khắt khe. Than chì tổng hợp độ tinh khiết cao (Ultra-high purity graphite) được coi là vật liệu "vàng" trong chuỗi cung ứng này. Với khả năng chịu được nhiệt độ trên 2500 độ C và tính trơ hóa học tuyệt đối, than chì tham gia vào hầu hết các công đoạn quan trọng từ kéo tinh thể Silicon đến xử lý bề mặt chip.

1. Quy trình kéo đơn tinh thể Silicon (Czochralski Process) Đây là công đoạn đầu tiên và quan trọng nhất để tạo ra các tấm Wafer. Than chì được sử dụng để chế tạo lò sưởi, nồi nấu (crucibles) và các linh kiện cách nhiệt trong lò kéo đơn tinh thể. Do Silicon nóng chảy rất dễ bị nhiễm bẩn, than chì phải đạt độ tinh khiết "5N" hoặc "6N" (99.999% trở lên) để đảm bảo cấu trúc tinh thể Silicon hoàn hảo.
2. Công nghệ màng mỏng và Epitaxy (MOCVD/PECVD) Trong quy trình bồi đắp các lớp vật liệu bán dẫn lên tấm Wafer, các đế đỡ (susceptors) làm từ than chì phủ Silicon Carbide (SiC) được sử dụng để giữ Wafer. Than chì cung cấp sự đồng nhất về nhiệt độ trên toàn bộ bề mặt tấm Wafer, yếu tố quyết định đến hiệu suất của các bóng bán dẫn trên chip.
3. Công đoạn cấy ghép Ion (Ion Implantation) Than chì được sử dụng để chế tạo các bộ phận trong buồng cấy ghép ion như buồng hồ quang, cực dương và các tấm chắn tia. Khả năng chịu nhiệt và chống mài mòn dưới tác động của luồng ion năng lượng cao giúp than chì duy trì tuổi thọ thiết bị và giảm thiểu sự nhiễm chéo kim loại.
4. Quản lý nhiệt và tản nhiệt công suất cao Trong các thiết bị kiểm tra chip và đóng gói bán dẫn, các tấm tản nhiệt graphite giúp giải tỏa nhiệt lượng cực lớn phát sinh trong quá trình vận hành, bảo vệ các vi mạch nhạy cảm khỏi hư hỏng do quá nhiệt.
Copyright © 2021 Công ty Cổ phần YHB ECO VINA.
Giấy chứng nhận đăng ký kinh doanh số 0107816087, cấp ngày 24/04/2017 bởi Sở Kế hoạch và Đầu tư TP. Hà Nội.
Địa chỉ đăng ký trụ sở chính: Tổ 4, Thị Trấn Quang Minh, Huyện Mê Linh, TP. Hà Nội, Việt Nam
Copyright © 2021 Công ty Cổ phần YHB ECO VINA.
Giấy chứng nhận đăng ký kinh doanh số 0107816087, cấp ngày 24/04/2017 bởi Sở Kế hoạch và Đầu tư TP. Hà Nội.
Địa chỉ đăng ký trụ sở chính: Tổ 4, Thị Trấn Quang Minh, Huyện Mê Linh, TP. Hà Nội, Việt Nam